Brechungsindex von GaAs, Gallium Arsenide
Gallium arsenide (GaAs) is a compound of the elements gallium and arsenic. It is a III/V semiconductor, and is used in the manufacture of devices such as microwave frequency integrated circuits, monolithic microwave integrated circuits, infrared light-emitting diodes, laser diodes, solar cells, and optical windows.
F¨¹r eine typische Probe von GaAs betragen der und der bei 3.85744 und 0.1983491. Nachfolgend finden Sie Dateien mit vollst?ndigen Brechungsindex und Extinktionskoeffizienten. Wenn die Datei nicht heruntergeladen werden kann, k?nnen Sie unsere propriet?re Datei anfordern, indem Sie auf "Anfordern" klicken.
Referenz f¨¹r Brechungsindex - J. B. Theeten, D. E. Aspnes, and R. P. H. Chang, J. Appl. Phys. 49, 6097 (1978)
Keine Gew?hr f¨¹r Genauigkeit ¨C Nutzung auf eigene Gefahr.
Zur¨¹ck zur BrechungsindexdatenbankTabulatorgetrennte Datei f¨¹r uneingeschr?nkte Verwendung: