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金属膜の均一性

金属膜のシート抵抗の均一性はデバイス性能の确保に不可欠であり、ほとんどの金属膜は4探针プローブ(4笔笔)および涡电流プローブ(贰颁)の両方で测定可能です。厚みがあり导电性の高い金属膜は涡电流プローブ(贰颁)が推奨され、薄い金属膜（10Ω/蝉辩以上）には4探针プローブ(4笔笔)が推奨されます。ただし、4笔笔/贰颁の相関性は非常に高いため、どちらの方法を使用しても正确な结果が得られます。

Filmetrics R54シート抵抗マッピングにより、膜の均一性、蒸着品質、およびその他のプロセスのばらつきが表示できます。 左の例は、TiWN蒸着層のマップであり、バッチリアクターの指紋を示しています。

イオン注入プロセスの最适化

4探針プローブは、イオン注入プロセスを測定するのに使用される標準技術です。Filmetrics R54ソフトウェアには、I-V曲線プロットと電流ランプスキャンが含まれており、測定中に使用される電流を最適化したり、インプラント層と支持シリコン基板との間の電流リークを識別したりすることができます。熱アニール後のイオン注入の輪郭マップと直径スキャンにより、ランプの故障、ウェーハ/プラテン接触不良、インプラント投与量のばらつきに起因するホットスポットとコールドスポットを特定できます。

左の例では、背面の熱接触を改善することで、プロセスが最適化されています。 ウェーハの直径にわたって抵抗を正確に測定することで、リアクターの加熱プロファイルを最適化して、不均一性を低減するために必要な情報が得られます。

膜厚/抵抗率/シート抵抗

測定されたウェーハデータは、シート抵抗、膜厚、抵抗率としてマッピングできます。 材料の抵抗率値（または抵抗に依存する関数）を入力することで、膜厚を計算して表示できます。膜厚値を入力した場合は、抵抗率を計算できます。

データ収集と可视化

RSMapperソフトウエアは、データ取得と解析機能を1つのプラットフォームに統合したR54の直感的なユーザーインターフェイスであり、測定に使用したり、オフライン解析に使用することができます。 測定時のデータ取得は、さまざまな座標レイアウトを使用して簡単に指定できます。

RsMapperソフトウエアでは、左に示すイオンビームスキャン上の問題に示されているように、重要な膜の均一性データを迅速に視覚化して、2D/3Dで測定結果を表示することができます。 ソフトウェアでは、個々の測定パラメータのマップから回転可能な3Dプロファイルに簡単に切り替えることができ、プロセスパラメータのカスタマイズされた表示が可能です。SECS/GEMの基本インターフェースは、リモートベンチトップの操作に使用できます。