玩偶姐姐

中国

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量测

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玩偶姐姐 的量测系统可满足一系列芯片和基板制造应用的需求，其中包括设计可制造性验证、新工艺表征和大批量制造工艺监控。通过对图案尺寸、薄膜厚度、层间对准、图案定位、表面形貌和电光性质进行精确测量，我们经过 AI 技术增强的综合量测系统使芯片制造商能够对其工艺保持严格的控制，从而提高设备性能和良率。

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Archer?

基于成像的套刻量测系统

Archer™ 800 套刻量测系统可对产物套刻误差提供准确反馈，有助于快速技术提升和稳定生产先进存储和逻辑芯片。具有纳米级分辨率的波长可调和每层优化，可对与创新图形化技术（包括 EUV 光刻）相关的套刻误差进行准确而可靠的分析。Archer 800 基于成像的套刻系统，其产能水平可满足不断变化的市场需求，支持光刻机高阶校正所需的高采样率，并实现在线监控的高生产量。先进算法和新型 rAIM® 套刻标记设计可改善标记和器件套刻误差之间的相关性，帮助光刻工程师准确跟踪器件套刻性能。

ATL?

套刻量测系统

基于ATL100?（精确可调谐激光器）散射测量的套刻测量系统可以为≤7nm设计节点的开发和批量制造提供套刻控制。 系统结合了分辨率为1nm的可调谐激光技术与实时Homing?功能以确保在实际生产工艺发生变化时仍然保持高精度的套刻。 ATL100支持包括芯片内和小间距在内的各种散射测量叠加测量目标设计，并且可以针对不同工艺层、器件类型、设计节点以及图案化技术实现精确的套刻误差测量。

Archer? Power

套刻量测系统

Archer? Power 和 Archer? Power XT 量测系统可以测量各种芯片类型的套刻误差和关键尺寸（CD），包括功率器件、逻辑和存储、LED、光电、RF、MEMS 和其他器件。 Archer Power 和 Archer Power XT 系统具有高生产力、严格的总测量不确定性 (TMU) 和制程监控关键性能指标 (KPI)，可为研发、路径寻找和量产 (HVM) 期间提供准确、经济高效的测量以加速学习周期。Archer Power 系统在广泛采用、经过生产验证的套刻测量平台上设计和制造，能够在同一生产线上灵活支持多种晶圆尺寸（150mm、200mm、300mm、150/200mm 桥接和 200mm/300mm 桥接配置），并且能够适应多种不同的晶圆厚度和基板类型（Si、SiC、GaN、GaAs、玻璃、蓝宝石等）。

Axion?

齿射线临界尺寸（颁顿）和形状量测系统

Axion? T2000 X射线尺寸量测系统能够对用于先进的3D NAND和DRAM芯片中的高纵横比结构进行高分辨率、快速、准确、精确的非破坏性三维形状测量。通过创新的X射线技术，Axion T2000能够识别微小的结构变化（弯曲、弯曲度、CD轮廓、刻蚀深度、椭圆度、倾斜等），这些变化或会影响存储器件的性能和产量。通过在线非破坏性测量，Axion T2000帮助存储器制造商在研发过程中实现快速学习周期，取代了长周期、破坏性的方法，如FIB-SEM、TEM和横截面SEM等。Axion T2000还用于在高产量制造过程中对关键工艺步骤进行表征、监控和控制，以确保及时发现和解决问题，保持稳定的生产。

SpectraShape?

光学临界尺寸（颁顿）和形状量测系统

SpectraShape™ 12k 尺寸量测系统可用于全面表征和监控先进设计节点集成电路的纳米片、finFET、DRAM 和垂直堆叠 NAND 结构的关键尺寸 (CD) 和三维形状，以及其他复杂特征。SpectraShape 12k 运用光学技术和专利算法的重大进步，可识别出一系列工艺层中关键器件参数（关键尺寸、高 k 层和金属栅极凹陷、侧壁角度、光阻高度、硬掩膜高度、节距偏移、器件上的套刻等）的细微变化。SpectraShape 12k 采用改进的平台和新型测量模块，可实现高生产量运行，可在线快速识别工艺问题，帮助工厂加快良率提升并实现稳定生产。

SpectraFilm?

关键薄膜量测系统

SpectraFilm? F10 和 F20 薄膜量测系统可为先进逻辑和存储器器件中的关键层提供精确的薄膜厚度测量。它们采用高亮度光源和扩展波长范围的宽带光谱椭偏法，可为复杂的工艺流程提供快速、可靠的测量。SpectraFilm F10 的目标是2nm 及以下的环绕栅极(GAA)晶体管架构，以及最新的动态随机存取存储器节点，提供亚埃米精度以控制超级晶格高k金属栅极层，并保持严格的阈值电压 (Vt) 分布，从而精调性能。SpectraFilm F20 可准确控制具有数百对层级的3D NAND结构中的薄膜薄层和厚层厚度，支持高容量存储器的持续扩展。总之，SpectraFilm 系统可帮助芯片制造商实现当今最苛刻的设计所需的精度和产能。

Aleris?

普通薄膜量测系统

Aleris? 9350 薄膜量测系统可对薄膜的厚度、折射率、应力及成份进行可靠、高精度的测量，适用于各种先进逻辑、动态随机存取存储器和3D NAND的普通薄膜。Aleris 9350 基于我们的最新平台，配备高亮度光源和更新的光学系统，采用宽带光谱椭偏 (BBSE) 技术，为普通薄膜应用提供行业领先的产能和性能。该系统配备配方移植和跨平台匹配功能，为晶圆厂提供全面的解决方案，用于验证和监控各种薄膜层，帮助晶圆厂保持制程控制，并加快提升成品率。

PWG?

图案化的晶圆几何形貌（笔奥骋）量测系统

PWG? 图案化晶圆几何量测平台可为先进的 3D NAND、DRAM 和逻辑制造商提供完整的高密度的晶圆形变、晶圆平整度和双面纳米形貌量测数据。PWG5? 具备高分辨率和高数据密度，可测量应力引起的晶圆形状变化、晶圆形状引起的图案叠对误差、晶圆厚度变化以及晶圆正面和背面形貌。凭借业界极佳的动态范围，PWG5支持在线监测与控制晶圆翘曲和应力，这些翘曲和应力是由于制造高级3D NAND器件的96+层堆叠沉积制程产生的。PWG5从源头识别制程引起的晶圆形状变化，从而能够进行晶圆的制程返工，制程设备的重新校准或与玩偶姐姐的5D Analyzer?数据分析系统集成，将结果反馈到扫描仪，从而改善产物套刻精度和整体器件的良率。

Therma-Probe?

离子注入量测系统

Therma-Probe离子注入/退火量测系统可为一系列半导体技术实现线上注入剂量监测，包括先进设计节点器件和复合半导体器件。 Therma-Probe 680XP 和 780 可生成关键制程信息，包括离子注入剂量和剖面、注入和退火均匀性，以及末端损伤。 此外，Therma-Probe系统的高分辨率微均匀度图谱为注入和退火工艺开发提供指纹识别能力。

CAPRES microRSP?

微尺度片上电阻探测

CAPRES A301 microRSP?是基于传统宏观探测中可靠的四点法技术的CAPRES系统。它提供了从离线测试晶圆电阻测量到在线产物晶圆片上电阻表征的简单过渡。该系统使用可靠的技术，能够准确测量片上电阻，帮助实现生产中的过程控制和质量优化。CAPRES A301 microRSP采用具有悬臂宽度可达500纳米的柔性微制电极阵列，是第一个可以在300毫米产物晶圆划痕线上工作的非破坏性电阻测量工具。它能够在非常小的长度尺度上进行测量，提供精确的结果，帮助实现对产物晶圆的片上电阻进行准确测量和表征。完全自动的CAPRES A301 microRSP基础产物可用于对300毫米的裸片和产物晶圆进行片上电阻测量，并可根据下面的相关产物部分中定义的不同配置，提供额外的测量能力和功能。我们还提供200毫米的CAPRES microRSP产物。

CAPRES CIPTech?

电学/磁学性能量测

CAPRES A301 CIPTech?和CAPRESM300 CIPTech?计量系统可直接测量与MRAM、STTRAM、磁记录头和磁传感器应用相关的铺盖式磁隧道结构（MTJ）层中的关键性磁电阻和隧道电阻（MR和RA）。获得IBM许可的Current In-Plane Tunneling 技术 (CIPTech?)具有前所未有的测量速度，并相比先前的技术在成本和时间上带来了巨大的节省。当与CAPRES专有的纳米MEMS探针技术结合使用时，完全自动化的CAPRES A301 CIPTech系统和半自动/手动的CAPRES M300 CIPTech系统可以快速而有效地对300mm全片或样品券上的MTJ性质进行非破坏性测量。MTJ表面通过一种新型的多点接触探针进行探测，该探针具有十二个微观悬臂电极，并使用CIPTech技术从CAPRES多点测量中直接提取MR和RA。

MicroSense? PKMRAM

用于 MRAM 的 300 毫米可用的非接触式磁性量测系统

MicroSense? PKMRAM 系统利用极性磁光克尔效应 (MOKE) 表征多层晶圆的磁性，以用于开发和制造垂直 MRAM。该系统利用非接触式全晶圆测量技术，绘制了大至 300 毫米的整体晶圆磁性图。该系统可采用手动加载或全自动配置，以满足研发和/或生产要求。与其他 MicroSense 磁量测工具一样，MicroSense PKMRAM 系统使用专有的直接场控制技术，提供高场能力和低场分辨率，以表征单个系统中的自由层和固定层属性。

MicroSense? KerrMapper

纵向磁光 Kerr 效应系统

MicroSense? 碍别谤谤惭补辫辫别谤系列工具利用纵向磁光克尔效应（惭翱碍贰）来表征磁性多层晶片（用于数据存储、惭搁础惭和其他磁传感器）的磁性特性。利用非接触式全晶片测量技术，惭颈肠谤辞厂别苍蝉别? KerrMapper S300和V300系统可以创建整个晶片磁性特性的映射图。这两种系统都可以手动加载或全自动配置，用于研发和/或生产。使用MicroSense磁测量工具的专有直接场控制技术，MicroSense? 碍别谤谤惭补辫辫别谤系统提供高场能力和低场分辨率，可在单个系统中表征自由层和固定层性能。

OmniMap? RS-200P

薄层电阻量测系统

OmniMap? RS-200P电阻率测绘系统采用了成熟的工业电阻率测绘标准，可为多种创新技术提供准确可靠的薄层电阻测量。 该电阻率测绘系统提供高级自动化和改良边缘性能等功能，以满足芯片生产以及先进封装需求。

CIRCL?

全表面晶圆缺陷检测、量测和复检集群系统

CIRCL? 集群设备具有四个模块，覆盖所有晶圆表面，并借助并行数据收集实现高产量，从而进行高效的工艺控制。组成最新一代 CIRCL9 系统的模块包括：晶圆正面缺陷检测；晶圆边缘缺陷检测、轮廓、量测和复检；晶圆背面缺陷检测和复检；正面缺陷的光学检测和分类。数据收集由 DirectedSampling? 控制，这是一种创新的方法，利用一次测量的结果触发集群内其他类型的测量。最新系统支持更宽范围的晶圆厚度，适用于晶圆正面检测和量测模块，以及光学复检模块。CIRCL9 的模块化配置为满足的工艺控制需求提供了灵活性，节省晶圆厂整体空间，减少晶圆排队时间，并为保护晶圆厂的资本投资提供了经济高效的升级路径。

玩偶姐姐拥有一套软件解决方案，可以集中和分析芯片制造的量测数据，包括OVALiS和5D Analyzer?。

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玩偶姐姐还提供通过Pro Systems and Enhancements进行传统节点制造的量测系统，包括套刻和薄膜度量系统。

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